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J-GLOBAL ID：200903018565909233

酸化シリコン系材料層のプラズマエッチング方法

Inventor： 福田 誠一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995029174
Publication number (International publication number)：1996222551
Application date： Feb. 17, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 酸化シリコン系材料層の高選択比、実用的なエッチングレートならびに低パーティクルレベルを共に達成しうる、安全性の高いガスを用いたプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 フッ化炭素系ガスと水蒸気を含む混合ガスを用い、半導体基板1上の酸化シリコン系材料層3にコンタクトホール5を開口する。混合ガスの流量比を変更し、2段階エッチングとしてもよい。さらに、イオウの堆積を併用してもよい。【効果】 被エッチング基板上に堆積するフッ化炭素系ポリマの膜質を強化して対レジストマスク4や対半導体基板1との選択比を向上する。また堆積するポリマ量を低減できるので、パーティクルレベルも低下する。廃ガス処理施設等を新たに付加する必要がない。

Claim (excerpt)：

フッ化炭素系ガスと、水蒸気を含む混合ガスを用い、下地材料層上の酸化シリコン系材料層をパターニングすることを特徴とする、酸化シリコン系材料層のプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055930   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-315453
  
• 特開平4-233728