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J-GLOBAL ID：200903018569632759

半導体回路

Inventor： 横田 昇 ,  大庭 久芳
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 松本 眞吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995138298
Publication number (International publication number)：1996330934
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】クロストーク効果の利用により信号伝播を早め遅延させ又は遅れ進みを相殺させて信号のタイミングを調整する。【構成】インバータ32の出力端に接続された信号線L32が、信号線L12に隣接して配置されている。信号線L32上の信号S32は、信号線L12上の信号S12と逆相であり、かつ、信号S12より先行しているので、クロストーク効果により信号S12の伝播が遅延する。また、インバータ10の出力端に接続された信号線L10が信号線L22に隣接して配置されている。信号線L10上の信号S10は、信号線L22上の信号S22と同相であり、かつ、信号S22より先行しているので、クロストーク効果により信号S22の伝播が早められる。また、インバータの介装されていない信号線とインバータが介装された信号線とが隣接配置されて、クロストーク効果による信号伝播の遅れと進みが相殺される。

Claim (excerpt)：

第1ゲートと、該第1ゲートの出力端に接続された第1信号線と、該第1ゲートの出力と同相の信号を該第1ゲートの出力に先行して出力する第2ゲートと、該第2ゲートの出力端に接続され、該第1信号線上の信号伝播を早めるために該第1信号線に隣接して配置された第2信号線とを有することを特徴とする半導体回路。

IPC (4)：

H03K 19/0175 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/693 ,  H03K 19/003

FI (4)：

H03K 19/00 101 N ,  H03K 17/16 D ,  H03K 17/693 E ,  H03K 19/003 Z