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J-GLOBAL ID：200903018576352290

X-Yアドレス型固体撮像素子およびその製造方法

Inventor：
鈴木 亮司

About 鈴木 亮司

, 
馬渕 圭司

About 馬渕 圭司

, 
森 智則

About 森 智則


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001210270
Publication number (International publication number)：2003031785
Application date： Jul. 11, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 配線層を通してフォトダイオードに入射光を取り込む画素構造では、マイクロレンズによって集光される光の一部が配線によって跳ねられてしまう。【解決手段】 CMOSイメージセンサに代表されるX-Yアドレス型固体撮像素子において、フォトダイオード37が形成されるシリコン層31の一方の面側に配線層38を形成し、シリコン層31の他方の面側、即ち配線層38と反対の面(裏面)側から可視光を取り込む裏面受光型の画素構造とし、受光面を考慮した配線を不要とし、画素の配線の自由度を高める。
Claim (excerpt)：
光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を含む単位画素が行列状に配置されてなるX-Yアドレス型固体撮像素子であって、前記光電変換素子が形成される素子層に対してその一方の面側に、前記能動素子に対して配線をなす配線層を有し、入射光を前記素子層の他方の面側から前記光電変換素子に取り込むことを特徴とするX-Yアドレス型固体撮像素子。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (3)：
H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
F-Term (35)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GA02 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GC17 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD20 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049QA15 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ13 ,  5F049SZ20 ,  5F049UA01 ,  5F049UA13 ,  5F049UA16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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