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J-GLOBAL ID：200903018584445302

大口径ウェーハの評価方法

Inventor： 橋本 靖行 ,  堀岡 佑吉
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999140208
Publication number (International publication number)：2000332078
Application date： May. 20, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 小口径ウェーハ用の評価ラインを大口径ウェーハの評価に利用する大口径ウェーハの評価方法を提供する。【解決手段】 直径300mmの大口径ウェーハW1をカッティングして、直径200mmの小口径ウェーハW2を作製する。その後、得られた小口径ウェーハW2を200mmウェーハ用評価ラインLのラインコンベア11上に移載して、このラインL上に順次配備された各種のウェーハ評価装置12により、必要なウェーハ評価試験を行う。このように、工場などに配備された既存の200mmウェーハ評価ラインLで、大口径ウェーハW1の評価を行うことができる。なおカッティング時には、大口径ウェーハW2をレーザ光線によりカットするようにしたので、カッティングの作業性を高めることができる。

Claim (excerpt)：

大口径ウェーハを作製する工程と、作製された大口径ウェーハから小口径ウェーハをカッティングする工程と、カッティングで得られた小口径ウェーハについて評価試験を行う工程とを備えた大口径ウェーハの評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/301

FI (3)：

H01L 21/66 Z ,  B23K 26/00 D ,  H01L 21/78 B

F-Term (14)：

4E068AE00 ,  4E068DA10 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA10 ,  4M106CA14 ,  4M106CA24 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106CB11 ,  4M106CB19 ,  4M106DH32 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-158875   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開昭56-049539
  
• 特開昭56-049539