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J-GLOBAL ID：200903018585377378

成膜方法、成膜装置、及び半導体装置

Inventor： 大竹 尚登
Applicant, Patent owner： アリエース技術研究有限会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002200451
Publication number (International publication number)：2003158127
Application date： Jul. 09, 2002
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低温で成膜でき、且つ、基板にチャージアップダメージを与えることの無い成膜方法及び成膜装置、並びに半導体装置を提供すること。【解決手段】 反応ガスを、マイクロ波の表面波に曝した後、流通孔21aを通過させて該流通孔21aの下流に導き、該下流においてシリコン化合物ガスと反応させることにより、上記下流に配置された基板W上にシリコン含有膜を成膜する成膜方法による。

Claim (excerpt)：

反応ガスを、マイクロ波の表面波に曝した後、流通孔を通過させて該流通孔の下流に導き、該下流においてシリコン化合物ガスと反応させることにより、前記下流に配置された基板上にシリコン含有膜を成膜する成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K

F-Term (51)：

4K030AA06 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA17 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033LL04 ,  5F033QQ08 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CB04 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF08 ,  5F058BF22 ,  5F058BF23 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-298725
  
• 表面波励起プラズマの生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-156426   Applicant：株式会社ニッシン, 神港精機株式会社