Pat

J-GLOBAL ID：200903018587407746

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 後藤 真志 ,  坂井 全弘 ,  西谷 幹彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999024589
Publication number (International publication number)：2000223712
Application date： Feb. 02, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 絶縁性基板上に形成される薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧の低い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 薄膜トランジスタのゲート絶縁膜をCVD法による膜堆積および酸化法による膜酸化により形成することにより、絶縁耐圧が高く、界面特性のよりゲート絶縁膜が形成でき、その厚さを薄くすることにより、しきい値電圧の低い薄膜トランジスタが得られる。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜表面に、その半導体の表面酸化層を設け、さらにCVD法によって膜堆積した絶縁膜をゲート絶縁層に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316

FI (7)：

H01L 29/78 617 V ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (38)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BB14 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030HA02 ,  4K030LA02 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F058BA01 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF60 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA08 ,  5F110AA12 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03