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J-GLOBAL ID：200903018593479139

ダイヤモンド膜の形成方法

Inventor： 田中 潤一 ,  上西 繁 ,  松永 宏典 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992079592
Publication number (International publication number)：1993279854
Application date： Apr. 01, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基体表面に気相合成法によってダイヤモンド膜を形成する場合に、基体表面とダイヤモンド膜との密着性を高める。また、ダイヤモンド膜を緻密かつ平坦に形成する。【構成】 基体1の表面に、炭素化合物をイオン化蒸着してダイヤモンド状炭素膜3を形成する(パターン化してダイヤモンド状炭素膜3′とする。)。この後、気相合成法によってダイヤモンド膜4を形成する。

Claim (excerpt)：

所定の基体表面に気相合成法によってダイヤモンド膜を成長するダイヤモンド膜の形成方法であって、上記ダイヤモンド膜を成長する前に、上記基体表面にダイヤモンド状炭素膜を形成することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法。

IPC (8)：

C23C 16/02 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C23C 28/04 ,  C30B 29/04