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J-GLOBAL ID：200903018596225740

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 井上 俊輔 ,  星 淳一 ,  渡邉 高典
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993032442
Publication number (International publication number)：1994232404
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 異なる厚さを有する活性層の不純物濃度を一定に制御して、特性のばらつきを極めて小さくできる半導体装置を得る。【構成】 絶縁膜402上の単結晶半導体層403に形成された集積回路において、該集積回路を構成する複数の能動素子の活性層膜厚407,408の最大値をTSOI(max)、最小値をTSOI(min)とした場合、該活性層407,408の不純物濃度の最大値と最小値の比がTSOI(max)/TSOI(min)以下であることを特徴とし、またその製造方法としては、まず、絶縁膜402上の単結晶半導体層403中に不純物イオンを導入する工程(図1(b),(c))と、該イオンを単結晶半導体層403中の深さ方向へ均一に拡散する工程(d)と、単結晶半導体層407,408の表面の一部を除去する工程(e)と、該除去工程により厚さが薄くなった層を複数の能動素子の活性層とする工程(f),(g)とを有する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上の単結晶半導体層に形成された複数の能動素子を有する半導体装置において、該複数の能動素子の活性層膜厚の最大値をTSOI(max)、最小値をTSOI(min)とした場合、該活性層の不純物濃度の最大値と最小値の比がTSOI(max)/TSOI(min)以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/265 A ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-289138
  
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-044160   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭60-126867
  

Cited by examiner (8)

• 特開平3-289138
  
• 二軸延伸ブロー成形容器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-258363   Applicant：大日本印刷株式会社
• 特開平3-265156
  
• 特開昭61-099347
  
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-044160   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-289138
  
• 特開平3-265156
  
• 特開昭61-099347