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J-GLOBAL ID：200903018596598317

半導体用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置

Inventor： 西谷 佳典
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002366176
Publication number (International publication number)：2004200349
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】耐半田性に優れるリードフレーム、及び半導体装置を提供すること。【解決手段】ジスルフィド化合物、より好ましくは一般式(1)で示されるジスルフィド化合物を含む表面処理剤によって表面処理されたことを特徴とする半導体用リードフレーム及びそれらを用いた半導体装置。【化1】(式中、R1、R2は炭素数2〜18のアルキル基又はアリール基。R1、R2は同じであっても異なっていてもよい。)

Claim (excerpt)：

ジスルフィド化合物及び有機溶剤を含む表面処理剤によって表面処理されたことを特徴とする半導体用リードフレーム。

IPC (2)：

H01L23/50 ,  H01L21/56

FI (2)：

H01L23/50 G ,  H01L21/56 T

F-Term (6)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD14 ,  5F067AA04 ,  5F067DE01