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J-GLOBAL ID：200903018620813496

スルーホールの形成方法

Inventor： 池上 尚克
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991211613
Publication number (International publication number)：1993036652
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ドライエッチングによりスルーホールとともにテーパ部を形成して、テーパ部の寸法精度を高め、高集積化を可能にする。【構成】 中性活性種21と反応性イオン22との相乗効果によるドライエッチングで層間絶縁膜13にスルーホール19を形成する方法であって、層間絶縁膜13を加熱することで、当該層間絶縁膜13に付着した中性活性種21(21a)を活性化させ、この活性化させた中性活性種21aでスルーホール19が形成される周囲の層間絶縁膜13を等方的にエッチングしてテーパ部18を形成する。同時に反応性イオン22のイオン衝撃によって中性活性種21(21b)を活性化させて異方的なドライエッチングを行うことで、層間絶縁膜13にスルーホール19を形成する。

Claim (excerpt)：

中性活性種と反応性イオンとの相乗効果によるドライエッチングで層間絶縁膜にスルーホールを形成する方法であって、前記中性活性種と反応性イオンとの相乗効果による異方的なドライエッチングで前記スルーホールを形成するとともに、前記層間絶縁膜を加熱することで、当該層間絶縁膜に付着した中性活性種を活性化し、当該活性化した中性活性種で前記スルーホールの開口側の層間絶縁膜を等方的にドライエッチングしてテーパ部を形成することを特徴とするスルーホールの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-065328
  
• 特開昭62-035524
  
• 特開昭61-171132
  
• 特開平2-100318