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J-GLOBAL ID：200903018635768900

サファイア基板研削研磨方法および装置

Inventor： 左 光 大 和
Applicant, Patent owner： 株式会社岡本工作機械製作所
Agent (1)： 蔵合 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996332120
Publication number (International publication number)：1998166259
Application date： Dec. 12, 1996
Publication date： Jun. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコンよりも硬いサファイア基板の表面を高精度に研磨する。【解決手段】 ターンテーブル1上のサファイア基板2の表面を粒度600番のダイヤモンド砥石4で研削して表面粗さをRa500nm程度にした後、その表面をシリカ砥石5で研削するか、またはシリカ粉を介在させて研磨布で加圧しながら研磨して表面粗さをRa100nm〜50nm程度にし、さらにサファイア基板2の表面をシリカ粉をアルカリ性溶液に懸濁した研磨剤10を使用して、定盤8上の研磨布7に加圧しながら研磨することにより、サファイア基板2の表面粗さを最終的にRa2nm程度にすることができる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の表面をシリカの砥石で研削する工程を含むサファイア基板研削研磨方法。

IPC (5)：

B24B 37/00 ,  B24D 3/00 320 ,  B24D 3/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331

FI (6)：

B24B 37/00 H ,  B24B 37/00 F ,  B24D 3/00 320 A ,  B24D 3/00 320 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 331