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J-GLOBAL ID：200903018640782961
多結晶シリコン薄膜およびその低温形成法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991326887
Publication number (International publication number)：1993136062
Application date： Nov. 14, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 安価なガラス基板を用いてなる多結晶シリコン薄膜及びその低温形成法を提供する。【構成】 本発明の多結晶シリコン薄膜は、ガラス基板32は金属電極もしくは透明電極が形成されたガラス基板3上に、水素量が5atom%以下のものである。また本発明の形成法は、多結晶シリコン薄膜を400°C以下の温度で形成するものである。
Claim (excerpt)：
ガラス基板上に形成された多結晶シリコン薄膜であって、該薄膜中の水素量が、5atom%以下であることを特徴とする多結晶シリコン薄膜。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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