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J-GLOBAL ID：200903018641243363
半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996099367
Publication number (International publication number)：1997266175
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウェーハが直径200mm以上の大口径であっても、シリコンウェーハ上に成長するエピタキシャル層の膜厚均一性、抵抗率分布の均一性、及び狭い遷移幅を維持したまま、シリコンウェーハに及ぼすストレスが小さく、反りが小さくなり、しかも、表面の酸化膜をエッチング除去する等の特別な工程を加えることなく表面の平坦度が優れたシリコンウェーハを実現するためのオートドープ防止用の保護膜を持つシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 一主面にドーパント揮散防止用保護膜を有する半導体ウェーハの製造方法において、半導体基板の一主面にプラズマCVD法によりドーパント揮散防止用保護膜を形成することを特徴とする。この半導体ウェーハは、主として、ドーパント揮散防止用保護膜が形成されていない一主面に半導体薄膜をエピタキシャル成長させるために使用される。
Claim (excerpt)：
一主面にドーパント揮散防止用保護膜を有する半導体ウェーハの製造方法において、半導体ウェーハの一主面にプラズマCVD法によりドーパント揮散防止用保護膜を形成することを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
, H01L 21/223
H01L 21/205
, H01L 21/316 X
, H01L 21/223 A
Cited by examiner (8)
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