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J-GLOBAL ID：200903018668943316

絶縁膜の形成方法

Inventor： 武石 俊作 ,  工藤 寛
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995029137
Publication number (International publication number)：1996222560
Application date： Feb. 17, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜の形成方法に関し、低周波電力を印加することなく、経時的に安定した特性を有する低誘電率のPCVD-SiOF膜を得る。【構成】 テトラエチルオルソシリケート(TEOS)、酸素、及び、C2 F6を原料ガスとして用い、テトラエチルオルソシリケートガスに対する酸素ガスの体積流量比を20倍乃至40倍にして、SiOF膜をPCVD法によって成膜する。

Claim (excerpt)：

プラズマ化学気相成長法を用いた絶縁膜の形成方法において、前記絶縁膜を形成する原料ガスとして、テトラエチルオルソシリケート、酸素、及び、C2 F6 を用いると共に、テトラエチルオルソシリケートガスに対する酸素ガスの体積流量比を20倍乃至40倍にしたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/90 K