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J-GLOBAL ID：200903018672907677
面発光半導体レーザ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000348101
Publication number (International publication number)：2001210908
Application date： Nov. 15, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 発振横モードの制御が可能な面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 面発光半導体レーザ素子は、上部反射鏡層構造(5)と下部反射鏡層構造(2)との間に発光層(4)を配置した半導体材料の層構造を基板1の上に形成したものであり、発光層(4)の近傍には電流注入経路(3e)が形成され、上部反射鏡層構造(5)の上面には平面視円環状の上部電極(7a)が形成され、上部電極(7a)の外側は誘電体膜(8)及び金属膜(9)で被覆されている。金属膜(9)は上部電極(7a)に接触した状態で形成され、上部電極(7a)の内側がレーザ光の出射窓になっている。出射窓の周縁部分(6c)が金属膜(9)で被覆されて出射窓(6A)の口径が金属膜(9)により規定され、これによりレーザ光の発振横モードが制御される。出射窓(6A)の口径(D0)は電流注入経路(3e)の口径(D1)より小さく、電流注入経路の口径(D1)は10μmより大きくなっている。
Claim (excerpt)：
基板(1)上に形成した上部反射鏡層構造(5)と下部反射鏡層構造(2)と両者間に配置される活性層(4)とを含む半導体材料の層構造の前記上部反射鏡層構造(5)の上面に上部電極(7a)及びレーザ光出射窓(6A)を設けた面発光半導体レーザ素子において、前記活性層(4)の近傍に口径(D1)が10μmよりも大きい電流注入経路(3e)を形成したことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/183
, H01S 5/042 610
H01S 5/183
, H01S 5/042 610
