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J-GLOBAL ID：200903018673787683

ドライエッチング方法

Inventor：
荒木 衛

About 荒木 衛


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998321857
Publication number (International publication number)：2000150477
Application date： Nov. 12, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 過剰な塩素ラジカルの発生を抑制し、アルミ合金層のサイドエッチングを改善するドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 最上層の反射防止膜(窒化チタン)5上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法でレジストパターン群6を形成し、引き続いてレジストパターン群6をマスクとして、積層膜をエッチングする。積層膜をエッチングするには、まずCl2とBCl3との混合ガスを用いて、上層側から反射防止膜5とアルミ合金層4を連続エッチングする。Cl2とBCl3との混合ガスを用いて余剰のアルミ合金層4を完全にエッチング除去した後、同一エッチング室内で連続的にバリアメタル層(TiN)3をBCl3とCHF3との混合ガスを用いてエッチングする。
Claim (excerpt)：
少なくともバリアメタル層,アルミ合金膜,反射防止膜を含む積層アルミ配線をドライエッチングするドライエッチング方法であって、前記反射防止膜,バリアメタル層をBCl3とCHF3との混合ガスを用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213
FI (3)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D
F-Term (27)：
4M104BB30 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104HH14 ,  5F004AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB00 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004EA22 ,  5F004EB02 ,  5F033HH09 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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