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J-GLOBAL ID：200903018679214502
スピンオングラス膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995042557
Publication number (International publication number)：1996213383
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 低温プロセスにより、高膜質のSOG膜を得る。【構成】 シリコン基板101上に酸化膜102を形成しその上にAl配線103を形成する(a)。全面にプラズマ酸化膜104を形成する(b)。スピン塗布法により、無機SOG膜105を形成し、低温(300°C)にて焼成する(c)。オゾン含有酸素と水とヘリウムを含むプラズマ106に曝して、無機SOG膜の膜質を改善する(d)。(c)図の工程と(d)図の工程を複数回繰り返すことにより、改質した厚膜無機SOG膜108を形成する(e)。
Claim (excerpt)：
(1)スピン塗布法を用いて、半導体基板上に形成された絶縁膜上にスピンオングラス膜を形成する工程と、(2)低温にて前記スピンオングラス膜を焼成する工程と、(3)酸素、オゾン、水およびヘリウムを含むプラズマガスに曝しながら熱処理を行って前記スピンオングラス膜の膜質を改善する工程と、を含むことを特徴とするスピンオングラス膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 K
, H01L 21/90 K
