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J-GLOBAL ID：200903018686220569

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 清水 和裕 ,  遠藤 哲郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207565
Publication number (International publication number)：1996078544
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 セル面積の増加を招くことなく、トンネル電流とトランジスタ電流の両方を高め、かつしきい電圧変動やコンダクタンス低下をなくすことができ、信頼性の高い電気的書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 ソース領域及びドレイン領域を有する半導体基板と、この半導体基板上に第1のゲート絶縁膜3を介して形成された電荷蓄積層4と、この電荷蓄積層上に第2のゲート絶縁膜5を介して形成された制御ゲート6と、前記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方と電気的に接続する柱状電荷授受部9と、前記電荷蓄積層4と柱状電荷授受部9との間に形成された第3のゲート絶縁膜とを具備し、前記電荷蓄積層と柱状電荷授受部との間で電荷の授受を行ってデータ書き換えを行なうメモリセルを集積形成してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ソース領域及びドレイン領域を有する半導体基板と、この半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された電荷蓄積層と、この電荷蓄積層上に第2のゲート絶縁膜を介して形成された制御ゲートと、前記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方と電気的に接続する柱状電荷授受部と、前記電荷蓄積層と柱状電荷授受部との間に形成された第3のゲート絶縁膜とを具備し、前記電荷蓄積層と柱状電荷授受部との間で電荷の授受を行ってデータ書き換えを行なうメモリセルを集積形成してなる不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434