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J-GLOBAL ID：200903018690741905

半導体ウェハを薄くする方法

Inventor： メリッサ・イ-・グルペン・シュマンスキー
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993343287
Publication number (International publication number)：1994224095
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハ11を薄くする方法を提供する。【構成】 支持膜15が半導体ウェハ11に装着される。この支持膜15は薄化工程において半導体を支持するのみならず、半導体ウェハ11の正面12を保護する。支持膜15を半導体ウェハ11に装着した後、半導体ウェハの背面13は2段階工程でエッチングされる。第1に、背面13は機械的切削され、次に化学的エッチングが施される。メタル膜18を背面13にスパッタリングしてもよい。支持膜15を有する半導体ウェハ11はダイシング工程のためにテープ・フレーム20に配置され、支持膜15は半導体ウェハ11の正面12から除去される。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハを薄くする方法であって:第1主面(12)および第2主面(13)を有する半導体ウェハ(11)を設ける段階;摂氏約200度までの温度に耐えられ、第1主面(16)および第2主面(17)を有する支持膜(15)を設ける段階であって、前記第1主面(16)は、90度の引張角度で25ミリメートルの支持膜幅当たり約20グラム以下の接着力を有する段階;前記支持膜(15)の前記第1主面(16)と、前記半導体ウェハ(11)の前記第1主面(12)とを接着する段階;前記半導体ウェハ(11)から所望の厚さを除去する段階であって、この所望の厚さは前記半導体ウェハの前記第2主面(13)を有する側から除去される段階;および前記半導体ウェハ(11)の前記第1主面(12)から前記支持膜(15)の前記第1主面(16)を分離する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/306