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J-GLOBAL ID：200903018696985903

半導体光電素子に対するZnO膜形成方法

Inventor： 加藤 俊宏
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994130745
Publication number (International publication number)：1995307490
Application date： May. 10, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】半導体光電素子の電極部に透明で導電率の高いZnO膜を設けた場合に問題となるコンタクト抵抗を低減する。【構成】 面発光型発光ダイオードのキャップ層上にスパッタリングによってZnO膜を形成した後、800°C程度に5分保持してアニールする。

Claim (excerpt)：

光と電気とを変換する半導体光電素子に対して、ZnOを主成分とする導電率の高い膜を形成する方法であって、前記半導体素子に前記ZnO膜を成膜した後、所定の温度まで加熱してアニールすることを特徴とするZnO膜形成方法。