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J-GLOBAL ID：200903018701794550
バンプの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993288022
Publication number (International publication number)：1995142489
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 チップや基板などの表面に安価にバンプを形成できる方法を提供することを目的とする。【構成】 半田線を所定の長さで切断し、切断された半田線をピックアップヘッドの下面に真空吸着してピックアップしてチップ5の上面に移載し、次いでチップ5の上面に移載された半田線を加熱して溶融させ、次いで冷却して固化させることにより半球状のバンプ11aを形成する。したがって安価な半田線を使用して、簡単にチップ5などにバンプ11aを形成できる。
Claim (excerpt)：
半田線を所定長さで切断する工程と、切断された前記半田線をピックアップヘッドの下面に真空吸着してピックアップする工程と、前記ピックアップヘッドの下面に真空吸着された前記半田線を電子部品の上面に移載する工程と、前記電子部品の上面に移載された前記半田線を加熱して溶融させ、次いで冷却して固化させる工程と、を含むことを特徴とするバンプの形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
