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J-GLOBAL ID：200903018705452417

プラズマ処理装置

Inventor： 早 川 崇
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000298379
Publication number (International publication number)：2002110646
Application date： Sep. 29, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 チャージアップダメージやアーキングダメージを発生させることなく、処理レートを均一にすることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空に保持可能なチャンバー1と、被処理基板Wを載置する第1の電極2とこの第1の電極に対向する第2の電極16とからなるチャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、一対の電極の間に所定パワー密度の高周波電界を形成する電界形成手段10と、チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段15と、チャンバーの周囲に設けられ、一対の電極の間に形成される処理空間の周囲に磁場を形成する磁場形成手段21と、第1の電極上の被処理基板の周囲に設けられた導電性または絶縁性のフォーカスリング5と、を備え、フォーカスリングの外径は、フォーカスリングの外径の被処理体の直径に対する比が略1.3乃至略1.4となるように、設定されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

真空に保持可能なチャンバーと、被処理基板を載置する第1の電極とこの第1の電極に対向する第2の電極とからなる前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、前記一対の電極の間に所定パワー密度の高周波電界を形成する電界形成手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバーの周囲に設けられ、前記一対の電極の間に形成される処理空間の周囲に磁場を形成する磁場形成手段と、前記第1の電極上の被処理基板の周囲に設けられた導電性または絶縁性のフォーカスリングと、を備え、前記フォーカスリングの外径は、前記フォーカスリングの外径の前記被処理体の直径に対する比が略1.3乃至略1.4となるように、設定されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

F-Term (23)：

4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG15 ,  4K057DM03 ,  4K057DM24 ,  4K057DM28 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA08 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01