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J-GLOBAL ID：200903018716406913
半導体マイクロマシンの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997032963
Publication number (International publication number)：1998223914
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 可動部13内の各電極または配線が確実に電気的絶縁領域160により電気的に区画された,半導体マイクロマシン1の製造方法を提供すること。【解決手段】 基板12に対してGe薄膜またはSi-Ge混晶薄膜よりなるエッチング層55を形成し,上記エッチング層55に対し半導体薄膜57を形成し,上記半導体薄膜59にドーパントを選択ドーピングし,上記半導体薄膜57にエッチング剤導入用の導入孔570と,複数の電極または配線及び電気的絶縁領域を有する可動部と,該可動部を支持する針状体とを形成する。次いで,上記エッチング層55を除去,間隙部を形成すると共に半導体薄膜57を可動部として形成する。
Claim (excerpt)：
基板と,該基板に間隙部を設けて対向配置されると共に,針状体によって支持された半導体薄膜からなる可動部とを有すると共に,上記可動部内には複数の電極または配線を設けてあり,かつ,これらの間には電気的絶縁領域が設けてある半導体マイクロマシンの製造方法において,上記基板に対してGe薄膜またはSi-Ge混晶薄膜よりなるエッチング層を形成する第一工程と,上記エッチング層に対し第四族元素(Si,Ge,Cの少なくともひとつ)よりなる半導体薄膜を形成する第二工程と,上記半導体薄膜にドーパントを選択ドーピングする第三工程と,フォトリソエッチングで上記半導体薄膜をパターニングして,少なくともエッチング剤導入用の導入孔と,複数の電極または配線及び電気的絶縁領域を有する可動部と,該可動部を支持する針状体とを形成する第四工程と,上記エッチング層を除去することにより,上記間隙部を形成すると共に上記半導体薄膜を可動部として形成する第五工程とを有すること特徴とする半導体マイクロマシンの製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/84
, G01C 19/56
, G01P 15/125
, H01L 21/308
, H01L 49/00
H01L 29/84 Z
, G01C 19/56
, G01P 15/125
, H01L 21/308 B
, H01L 49/00 Z
