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J-GLOBAL ID：200903018738211458

イオンビームの電荷中和方法および装置ならびにドライプロセス装置および表面計測装置

Inventor： 平岡 進 ,  小野 哲郎 ,  鈴木 敬三 ,  水谷 巽
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288573
Publication number (International publication number)：1993129096
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】イオンビームの電荷の中和する割合を高め、しかも電荷の中和を行なう部分以外へのガスの拡散を避け、装置の大型化を防ぐ。【構成】イオン源5から発生するイオンビームと分子ビームノズル7から噴出する分子ビームとを交差させることで、イオンビームの電荷を中和する。【効果】分子ビーム内の圧力は高いから、イオンビームの電荷の中和の確率を高く保つことができ、しかもイオンビーム源などへのガスの拡散を防ぐことができるので、電荷の中和を行なう部分以外へのガスの拡散を避けることができ、また極めて狭い領域内で電荷の中和を行なうことができるから、装置の小型化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

イオンビームの電荷を中和する方法において、上記イオンビームを分子ビームと交差させることを特徴とするイオンビームの電荷中和方法。

IPC (2)：

H05H 3/02 ,  H01L 21/302