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J-GLOBAL ID：200903018748115988

化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法

Inventor： 長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995157587
Publication number (International publication number)：1997008031
Application date： Jun. 23, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、埋め込み能力とギャップフィル能力とを高い状態に保ってSiO2 よりも低い誘電率を有する酸化シリコン系の絶縁膜の形成を図る。【構成】 少なくともメチルフロロシランと水、またはメチルフロロシランと過酸化水素を含む原料ガスを用いて、化学的気相成長法により絶縁膜14を形成する方法である。その原料ガスには、少なくとも、メチルシランと過酸化水素、メチルクロロシランと水、またはメチルクロロシランと過酸化水素を含むものも用いることも可能である。

Claim (excerpt)：

化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法において、前記化学的気相成長法で用いる原料ガスは、少なくともメチルフロロシランと水、またはメチルフロロシランと過酸化水素を含むことを特徴とする化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154048   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068855   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-012411   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154048   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068855   Applicant：川崎製鉄株式会社