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J-GLOBAL ID：200903018751192519

電子放出素子

Inventor： 酒井 忠司 ,  小野 富男 ,  中村 裕之 ,  棚本 哲史 ,  中本 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994131488
Publication number (International publication number)：1995335116
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 強度が強く、均一な電子放出ができる電子放出素子を提供することを目的とする。【構成】 Si基板1にSi微細骨格4の電子放出制御ゲ-トが形成され、このSi微細骨格4の表面には陽極酸化膜6が形成されている。Si微細骨格4の間隙5にはNiよりなる導体領域7の電子放出陰極が充填されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面に形成された微細骨格と、この微細骨格の間隙に充填された導体領域の電子放出陰極とを備えたことを特徴とする電子放出素子。