Pat

J-GLOBAL ID：200903018758844724

半導体装置

Inventor： 岡林 秀和 ,  喜多村 宏之
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993285373
Publication number (International publication number)：1995142478
Application date： Nov. 15, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の配線における高アスペクト比の微細なコンタクト孔やビアでのアルミニウム(Al)合金配線の被覆性や埋め込み性の低下を防ぐ。【構成】 コンタクト孔やビア内の主たる配線17′及び23として、希土類元素濃度が約5原子%以上のAl-希土類元素合金、または、Al-希土類-遷移金属合金を用いることによって、低温で形成しても、コンタクト孔やビア内での被覆性や埋め込み性が良好になるようにする。

Claim (excerpt)：

基板へのコンタクト孔、あるいは、多層配線における上下層間の接続孔内の主たる配線が、希土類元素濃度が約5原子%以上のAl-希土類元素合金、または、Al-希土類元素-遷移金属合金によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 D ,  H01L 21/90 B