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J-GLOBAL ID：200903018762744963

気相エピタキシャル成長装置

Inventor： ▲齊▼藤 哲男 ,  西野 弘師 ,  岡本 徹 ,  村上 聡 ,  丸山 研二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307446
Publication number (International publication number)：1994163415
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 気相エピタキシャル成長装置に関し、基板の総ての領域上で均一な組成のエピタキシャル結晶が得られるような装置の提供を目的とする。【構成】 基板設置台2上に載置された基板1を収容する反応管3内に、分解温度の異なる原料ガスを複数種類導入し、該原料ガスを熱分解して基板1上に該原料ガスの分解した成分を被着し、生成エネルギーの異なる混晶を生成して化合物半導体結晶を形成する装置に於いて、前記基板1が所定の温度の同心円状の加熱帯域を有するように、かつ該加熱帯域が別個に温度制御可能なように加熱される基板加熱手段14と、前記反応管3内に分解温度の異なる複数種類の原料ガスが互いに混合しない状態で基板1に到達するようなガス通路6A,6B を形成する仕切り板4とを設けて構成する。

Claim (excerpt)：

基板設置台(2) 上に載置された基板(1) を収容する反応管(3) 内に、分解温度の異なる原料ガスを複数種類導入し、該原料ガスを熱分解して基板(1) 上に該原料ガスの分解した成分を被着し、生成エネルギーの異なる多元混晶を生成して化合物半導体結晶を形成する装置に於いて、前記基板(1) が所定の温度の同心円状の加熱帯域を有するように、かつ該加熱帯域が別個に温度制御可能なように加熱される基板加熱手段(14A,14B,14C,14D,14E,14F,14G) と、前記反応管(3) 内に分解温度の異なる複数種類の原料ガスが互いに混合しない状態で基板(1) に到達するようなガス通路(6A,6B,6C)を形成する仕切り板(4,4A,4B) とを設けたことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。