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J-GLOBAL ID：200903018768824594

プラズマ処理装置

Inventor： 金沢 元一 ,  松本 治
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992114161
Publication number (International publication number)：1993291155
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】プラズマ処理装置に於いてプラズマ処理の均一性を向上させる。【構成】相対峙させて電極1,2を配設し、該一対の電極にそれぞれ高周波電力を印加してプラズマを発生させ、該プラズマを利用していずれか一方の電極に設けた被処理物4を処理するプラズマ処理装置に於いて、前記両電極に同一周波数の電力を印加すると共に、両印加電力の位相差を制御可能とし、該位相差の制御で、処理性能、イオンエネルギを制御し、プラズマ処理均一性制御、処理状態の制御し、プラズマ処理均一性を向上する。

Claim (excerpt)：

相対峙させて電極を配設し、該一対の電極にそれぞれ高周波電力を印加してプラズマを発生させ、該プラズマを利用していずれか一方の電極に設けた被処理物を処理するプラズマ処理装置に於いて、前記両電極に同一周波数の電力を印加すると共に、両印加電力の位相差を制御可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/46