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J-GLOBAL ID：200903018789082482

反射防止膜材料及びパターン形成方法

Inventor： 土谷 純司 ,  渡辺 聡 ,  竹村 勝也 ,  名倉 茂広 ,  石原 俊信
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995284281
Publication number (International publication number)：1997090615
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 微細で寸法精度及び合わせ精度が高く、簡便で生産性が高く、再現性良くレジストパターンを形成し、安価で、環境に安全な反射防止膜材料及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基盤上に形成したフォトレジスト層上に形成され、露光後に溶剤除去される透明な反射防止膜を形成する反射防止膜において、水に可溶なフッ素系樹脂を主成分とすることを特徴とする反射防止膜材料。

Claim (excerpt)：

基盤上に形成したフォトレジスト層上に形成され、露光後に溶剤で除去される透明な反射防止膜を形成する反射防止膜において、下記一般式(1)〜(3)で示される水に可溶なフッ素系樹脂を主成分とすることを特徴とする反射防止膜材料。【化1】(式中、R1、R2はそれぞれ水素原子又はフッ素原子、R3は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、R4は-(CH2)a(CF2)bX又は-CR10R11R12、R5は水素原子、メチル基、カルボキシル基、R6は水素原子、メチル基、カルボキシル基、-CH2COOH、R7はカルボキシル基、スルホ基、-C(=O)YR13COOH、-C(=O)YR13SO3H、R8は水素原子又はメチル基、R9は水素原子又は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、R10〜R12は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基でR10〜R12のうち少なくとも2つはフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基、R13は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基である。また、Xは水素原子、フッ素原子、Yは-O-、-NH-であり、aは0〜2、bは1〜8、cは2〜5の整数、mとnの比はm:n=1:9〜9:1である。)

IPC (3)：

G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 574