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J-GLOBAL ID：200903018790499540

ホトルミネセンス発光構造および発光方法

Inventor： チ - チェン チョウ ,  ツェン フワング リン ,  ショウ - コング ファン ,  ウオルター エム.ダンカン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993243292
Publication number (International publication number)：1994224472
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Siベース基板上のNdドープトCaF2 薄膜からホトルミネセンス放出線を発生する装置および方法を提供する。【構成】 シリコン(240)もしくは反射層(238)上に成長させた薄膜CaF2 (234)からホトルミネセンス発光を生じる方法および装置により0.2μm程の厚さのCaF2 に対しても狭い放出線幅および高い放出強度が示される。実施例はNd等の希土類がドープされている。

Claim (excerpt)：

ホトルミネセンス発光構造において、該構造は前記発光の波長における放射のおよそ90%よりも多くを反射する性質を有する反射材層と、遷移元素がドープされた前記反射材層上のCaF2 層からなるホトルミネセンス発光構造。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/77 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-042880
  
• 特開平4-234183
  
• 特開平1-094689