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J-GLOBAL ID：200903018792373226

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 紀川 健 ,  高谷 信一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992141349
Publication number (International publication number)：1993335346
Application date： Jun. 02, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】界面準位の発生が少なく、かつ特性劣化の少ない半導体装置を提供すること。【構成】半導体層10上に、フッ化鉛を含む絶縁膜11又はフッ素化合物からなり、かつその誘電率が該半導体層の誘電率以上である絶縁膜11を有する半導体装置。絶縁膜の結晶構造や格子定数が半導体層のそれに類似している方が好ましい。

Claim (excerpt)：

半導体層と該半導体層上に設けられた絶縁膜とを有する半導体装置において、上記絶縁膜はフッ化鉛を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B