多孔質表面の洗浄方法および半導体表面の洗浄方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997138584
Publication number (International publication number)：1998064870
Application date： May. 28, 1997
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】キャビテーションによっても共振によっても、多孔質構造の崩壊が起こらない、多孔質半導体基体の好適な洗浄方法を提供する。【解決手段】少なくとも表面に多孔質構造を有する半導体基体の多孔質表面の洗浄方法において、周波数が600kHzから2MHzの範囲の高周波を重畳した純水で、前記基体の多孔質表面に付着した異物を除去する洗浄をする。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面に多孔質構造を有する基体の多孔質表面の洗浄方法において、周波数が600kHzから2MHzの範囲の高周波を重畳した純水で、前記基体の多孔質表面に付着した異物を除去するための洗浄をすることを特徴とする多孔質表面の洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 , B08B 3/08 , B08B 3/12

FI (3)：

H01L 21/304 341 N , B08B 3/08 Z , B08B 3/12 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

化合物半導体表面の清浄化方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-135669 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-040270
超音波洗浄システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-223072 Applicant：株式会社芝浦製作所

Return to Previous Page