酸化膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997326243
Publication number (International publication number)：1999162971
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】薄い酸化膜を安定して加湿酸化法にて形成することができ、しかも、p形半導体素子のゲート電極形成におけるボロン原子の拡散を確実に抑制することを可能にする酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜の形成方法は、(イ)水素ガス及び酸素ガスに電磁波を照射することによって水蒸気を生成させ、該水蒸気を用いて半導体層の表面を酸化し、以て半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素ガスに電磁波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子若しくは窒素分子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)水素ガス及び酸素ガスに電磁波を照射することによって水蒸気を生成させ、該水蒸気を用いて半導体層の表面を酸化し、以て半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素系ガスに電磁波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子若しくは窒素分子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程、から成ることを特徴とする酸化膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 S , H01L 21/318 M , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-140453
特開平3-055842
特開昭55-113335

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