積層低誘電率技術

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996514582
Publication number (International publication number)：1997507617
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Jul. 29, 1997
Summary：

【要約】半導体装置において金属相互接続部(12)の第1の層を互いから分離し、さらに、金属相互接続部(12)の第1の層への電気的接続をなすための金属相互接続部(28)の第2の上に載る層から第1の層を分離する、積層誘電体構造が設けられる。積層誘電体構造は、(a)金属相互接続部の第1の層において金属相互接続部(12)間の間隙を充填する有機塗布ガラス材料の層(18)と、(b)金属相互接続部(28)の第2の層を支持するよう平坦化を与えるための無機塗布ガラス材料の層(26)と、(c)有機塗布ガラス層(18)と無機塗布ガラス層(26)とを分離する、化学的に気相成長させられる酸化物(20)の層とを含む。この積層誘電体構造は、垂直方向において3.36〜3.46の大きさのキャパシタンスを与え、水平方向においては約3.2のキャパシタンスを与える。これは、現在市場で入手可能な材料を用いて、先行技術の単一誘電体層に対し10〜15%の低減である。

Claim (excerpt)：

半導体装置において金属相互接続部の第1の層を互いから分離し、かつ金属相互接続部(12)の前記第1の層への電気的接続をなすための金属相互接続部(28)の第2の上に載る層から金属相互接続部(12)の前記第1の層を分離するための積層誘電体構造であって、前記積層誘電体構造は、 (a) 金属相互接続部(12)の前記第1の層において金属相互接続部間の間隙を充填する有機塗布ガラス材料(18)の層と、 (b) 金属相互接続部(28)の前記第2の層を支持するために平坦化を与えるための無機塗布ガラス材料(26)の層と、 (c) 前記有機塗布ガラス層と前記無機塗布ガラス層とを分離する、化学的に気相成長させられる酸化物の層(20)とを含む、積層誘電体構造。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 M , H01L 21/316 M , H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平3-222426
特開平2-177347
特開平3-196663

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