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J-GLOBAL ID：200903018818790327

炭素-窒素化合物含有膜の形成方法

Inventor： 西山 哲 ,  緒方 潔
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995026380
Publication number (International publication number)：1996225924
Application date： Feb. 15, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】被成膜基体上に炭素(C)-窒素(N)化合物含有膜を形成する方法であって、形成される膜のC/N組成比が大きい場合も膜の硬度が低下し難く、且つ、比較的小さい加速エネルギでイオン照射しても密着性良好に膜形成することができる炭素-窒素化合物含有膜形成方法を提供する。【構成】被成膜基体S上へ炭素3aを蒸着すると同時又は交互に窒素イオン4a及び不活性ガスイオン4bを基体S上に照射することにより、基体Sとの混合層Sm1及び炭素-窒素化合物含有膜Sfを形成するか、又はこの操作に先立ち予め基体Sに窒素イオン4a又は(及び)不活性ガスイオン4bを照射し、イオン注入層S1、混合層Sm2及び炭素-窒素化合物含有膜Sfを形成する。

Claim (excerpt)：

被成膜基体上へ炭素を蒸着すると同時又は交互に窒素イオン及び不活性ガスイオンを照射することにより該基体上に炭素-窒素化合物含有膜を形成することを特徴とする炭素-窒素化合物含有膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 14/22 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/48

FI (3)：

C23C 14/22 A ,  C23C 14/06 H ,  C23C 14/48 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平3-274269
  
• 硬質炭素膜の被覆方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-190987   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-021776
  
• 特開平2-129359
  
• 特開平3-274269
  
• 特開平4-021776
  
• 特開平2-129359