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J-GLOBAL ID：200903018824774538

TAB式半導体装置及びその製造方法

Inventor： 西畑 智秀
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Agent (1)： 中井 宏行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991331327
Publication number (International publication number)：1993144871
Application date： Nov. 19, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】各インナーリードの広い範囲が被覆樹脂にて覆われていないTAB式半導体装置を提供することを目的とする。【構成】フィルム5に穿孔された透孔4内に延設される各インナーリード11の先端近傍の折曲される部分に樹脂止用段部12が形成されており、該凸段部12から後端までの肉厚が厚く、反対に樹脂止用段部12を境界にして先端までが肉薄部11aとなり、半導体ペレット1の対応する各バンプ電極2とインナーリード11の薄肉部11aとを接合一体とし、半導体ペレット1の表面を樹脂8で被覆している。半導体ペレット1の表面を被覆した樹脂8は、インナーリード11の樹脂止用段部12の段差によってこの位置からインナーリードの後方にまで広がらず、半導体ペレット1の表面を含む必要な部分だけが樹脂8にて確実に被覆されたTAB式半導体装置となる。

Claim (excerpt)：

透孔を所定間隔で穿設してなるフィルム上に積層した銅箔をエッチングして透孔内に延びるインナーリードを形成したTABテープの上記インナーリードと半導体ペレットに形成した電極とを接合すると共に、前記半導体ペレットの表面を樹脂にて被覆してなるTAB式半導体装置において、上記インナーリードの中間部に樹脂止用段部を形成したことを特徴とするTAB式半導体装置。