化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001296608
Publication number (International publication number)：2003107706
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】 (A)フッ素原子を少なくとも1個含む繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)式(1)の溶解阻止剤、【化1】(R1、R2はH、Fのアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R1とR2の内少なくとも一方が少なくとも1個のフッ素原子、R3は単結合又はアルキレン基、R4はn価の炭素数4〜40の芳香族基又は環状ジエン基、R5は酸不安定基、nは2,3又は4である。)(C)有機溶剤、(D)酸発生剤を含有する化学増幅レジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度と透明性が優れている。

Claim (excerpt)：

(A)フッ素原子を少なくとも1個含む繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)下記一般式(1)で示される溶解阻止剤、【化1】(式中、R1、R2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1とR2の内いずれか一方又は双方が少なくとも1個のフッ素原子を示す。R3は単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基を示し、R4はn価の炭素数4〜40の芳香族基又は環状ジエン基であり、R5は酸不安定基である。nは2,3又は4である。)(C)有機溶剤、(D)酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅レジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 501 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 501 , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (24)：

2H025AA01 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096DA01 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-375504 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-037403 Applicant：信越化学工業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-311438 Applicant：信越化学工業株式会社

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