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J-GLOBAL ID：200903018831701660
不揮発性メモリ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991241127
Publication number (International publication number)：1993081148
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ストア回数を少なくして寿命を延ばす。【構成】 SRAMとEEPROMよりなり、互相の記憶内容を移動できるようにした不揮発性メモリ1と、この不揮発性メモリ1に電源を供給する電源部2と、SRAMの記憶内容の変更を監視する変更監視手段3と、不揮発性メモリ1を管理するメモリ管理手段4を設け、メモリ管理手段4は電源部2が電源を切断する場合で変更監視手段3がSRAMの記憶内容の変更を検出した場合のみSRAMの内容をEEPROMへ書き込むようにする。
Claim (excerpt)：
SRAMとEEPROMよりなり相互の記憶内容を移動できるようにした不揮発性メモリ(1)と、この不揮発性メモリ(1)に電源を供給する電源部(2)と、前記SRAMの記憶内容の変更を監視する変更監視手段(3)と、前記電源部(2)が電源を切断する場合、前記変更監視手段(3)が前記SRAMの記憶内容の変更を検出したときのみ前記SRAMの記憶内容を前記EEPROMに書き込むようにし、前記電源部(2)が前記不揮発性メモリ(1)に電源を投入するときは前記EEPROMの記憶内容を前記SRAMに読み込むよう管理するメモリ管理手段(4)とを備えたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (3)：
G06F 12/16 340
, G11C 16/06
, G11C 29/00 301
Cited by examiner (7)
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