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J-GLOBAL ID：200903018835062530

パイロデテクター装置の製造方法

Inventor： ライナー ブルツフハウス ,  フオルカー レーマン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994125703
Publication number (International publication number)：1994331452
Application date： May. 16, 1994
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 充分な機械的安定性を持つ大面積のパイロデテクター装置も製造することができるようにする。【構成】 nドーピングされた単結晶シリコンから成る基板21の第1主面22に電気化学的エッチングによって孔構造24を作り、それにより基板21に構造化領域26を生成し、この構造化領域26の上方において第1主面22上に少なくとも1つのパイロデテクター素子28を配置する。

Claim (excerpt)：

nドーピングされた単結晶シリコンから成る基板(11、21、31)の第1主面(12、22、32)の少なくとも一部分に電気化学的エッチングによって孔構造(15、24、34)が作られ、それにより前記基板(11、21、31)に構造化領域(16、26、37)が生成され、その際前記電気化学的エッチングは、前記基板(11、21、31)がアノードとして接続され前記第1主面(12、22、32)が電解液に接触させられ、エッチング除去に影響する電流密度が調整される電解液内で行われ、少なくとも1つのパイロデテクター素子(18、28、39)が前記第1主面(12、22、32)の構造化部分の上方に設けられることを特徴とするパイロデテクター装置の製造方法。

IPC (3)：

G01J 5/28 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306