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J-GLOBAL ID:200903018849675038
電子ビーム露光方法及びその装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
則近 憲佑
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993138009
Publication number (International publication number):1994349719
Application date: Jun. 10, 1993
Publication date: Dec. 22, 1994
Summary:
【要約】【構成】 エリアセンサ系29での座標を用いて、ステージ系31の座標を決定し、これを電子ビーム描画装置系27にフィードバックすることで電子ビームでの描画を行う。【効果】 本発明により、位置検出マ-クに悪影響を及ぼすことはなく、位置合わせ精度が向上し、位置検出マ-クの段差形状や表面状態などを考慮にいれることがなく、半導体チップの集積度を向上させることができる。
Claim (excerpt):
位置検出のための基準マ-クを具備したウェハ載置用ステ-ジを電子ビ-ム鏡筒下部に設置し、前記基準マ-クを電子ビ-ムで走査することで電子ビ-ム描画装置系における半導体ウェハの位置座標を検出する工程と、前記ウェハ載置用ステージをCCDセンサ下部に移動し、光源から発生する光を前記基準マークに照射してCCDセンサ系における基準マ-クの位置座標を検出する工程と、前記電子ビ-ム描画装置系における半導体ウェハの位置座標と前記エリアセンサ系における半導体ウェハの位置座標とを比較し、補正値を算出する工程と、前記半導体ウェハ上に形成された位置検出マークに前記光源から発生する光を照射し、CCDセンサ系における位置検出マ-クの位置座標を検出する工程と、前記ウェハ載置用ステージを前記電子ビーム鏡筒下に移動し、前記ウェハ載置用ステージまたは前記電子ビームのいずれか一方を前記補正値で補正した後、電子ビームによる描画を行う工程とを具備することを特徴とする電子ビ-ム露光方法。
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