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J-GLOBAL ID：200903018852755387

半導体レーザの製造方法

Inventor： 吉田 保明 ,  河野 実
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993128627
Publication number (International publication number)：1994338662
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エッチング溝なしにチップ分離を行う。【構成】 ウェハの一端に短いスクライブ傷101を入れる工程と、ウェハの一端から他端まで続くスクライブ傷102を入れる工程と、上記短いスクライブ傷101をもとにレーザ共振器端面を形成する工程と、ウェハの一端から他端まで続くスクライブ傷102をもとにチップ分離する工程とを有する半導体レーザのチップ分離方法。【効果】

Claim (excerpt)：

半導体レーザの製造方法において、ウェハの一端辺に、該端辺に垂直な方向に、複数の短い第1のスクライブ傷を入れる工程と、上記第1のスクライブ傷と垂直な方向に、上記ウェハの一端から他端まで続く複数の第2のスクライブラインを入れる工程と、上記短い第1のスクライブ傷をもとに上記ウエハをへき開し、レーザ共振器端面を形成する工程と、上記ウェハの一端から他端まで続く第2のスクライブラインをもとに、上記ウエハを複数のチップに分離する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/78