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J-GLOBAL ID:200903018869826016

半導体レーザを含む物品および物品の操作方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三俣 弘文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994047978
Publication number (International publication number):1994291729
Application date: Feb. 23, 1994
Publication date: Oct. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 出力放射にチャープがなく、一定の振幅を有する半導体レーザを含む物品および物品の操作方法を提供する。【構成】 少なくとも2つのレーザパラメータのコヒーレント変化により、素子性能の改良を生じうる。例えば、1GHz以上の周波数での純振幅変調または純周波数変調、または、周波数変調を生じる。関係するレーザパラメータには、ポンピング率、光利得係数、光子寿命、閉込め係数、有効キャリア温度、出力周波数および自然放出係数がある。一例として、ポンピング率と光利得とは、出力放射にチャープがないように、コヒーレントに変えられる。または、出力周波数と有効キャリア温度とは、出力放射が一定の振幅を有するように、コヒーレントに変えられる。
Claim (excerpt):
放射出力(14)を有する半導体レーザ(11)と、前記放射出力を利用する手段(12)とからなる物品(10)を操作し、ポンピング率J、光利得係数g、光子寿命τph、閉込め係数Γ、自然放出係数β、キャリア濃度n、有効キャリア温度Te、出力パワーP、および、出力周波数Ωが少なくともレーザ動作中の半導体レーザに関係する方法であって、半導体レーザが持続体制で動作するように、半導体レーザをポンピングするステップを含む前記物品の操作方法において、前記パラメータJ,g,Γ,τph,Te,Ωおよびβのうち少なくとも2つをコヒーレントに変えることにより、前記放射出力を変調するステップを含むことを特徴とする半導体レーザを含む物品操作方法。
IPC (3):
H04B 10/04 ,  H04B 10/06 ,  H01S 3/18
FI (2):
H04B 9/00 L ,  H04B 9/00 Y

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