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J-GLOBAL ID：200903018875091940

高融点金属ターゲット材,及びその製造方法

Inventor： 上澤 千加代 ,  市田 晃
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310117
Publication number (International publication number)：1994158300
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 CVDによるスパッターターゲットに関して,経済的な高融点金属ターゲット材及びその製造方法を提供すること。【構成】 タングステンからなる底板1と,この底板1の一面にCVD法によって積層されたタングステンからなる積層部2とを備えている。

Claim (excerpt)：

第1の高融点金属からなる底板と,前記底板の一面に積層された第2の高融点金属からなる積層部とを備えたことを特徴とする高融点金属ターゲット材。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-294175
  
• 特開昭63-093859