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J-GLOBAL ID：200903018887347079

両面同時スパッタ成膜方法及び成膜装置

Inventor： 清水 保
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992240499
Publication number (International publication number)：1994088217
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】ターゲットのエロージョン領域を拡大しターゲット利用効率を上げると共に、被成膜基板の膜厚の均一化と基板面内で均質な膜を形成することのできる両面同時スパッタ成膜方法及び成膜装置を得ることにある。【構成】被成膜基板1を対称面2として互いに対称な位置にプラズマ8、8’を同時に発生させ、スパッタターゲット5、5’面上でプラズマ8、8’を連続もしくは断続的に移動させながら成膜する。【効果】ターゲットのエロージョン領域を拡大できるのでターゲット材料の有効利用が図れ、かつ成膜速度の向上と膜厚の均一化が図れる。

Claim (excerpt)：

被成膜基板を対称面として互いに対称な位置に同一形状で、同一特性を有するプラズマを同時に発生させ、前記プラズマをスパッタターゲット面上に閉じ込める磁場が互いに干渉し合うに充分な距離にスパッタターゲット面を前記被成膜基板面に近付けた状態で、前記被成膜基板の両面へ同時に成膜する工程を有して成る両面同時スパッタ成膜方法。