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J-GLOBAL ID：200903018899015055

半導体装置の製造方法

Inventor： 成瀬 宏 ,  菅谷 弘幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996159397
Publication number (International publication number)：1998012716
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 簡単な方法でコストがかさむことのなく、かつトレンチコーナー部への応力集中を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1に溝6を形成し、その後、半導体基板1を800°C以上の非酸化性雰囲気中でアニールすることで溝の角部6a、6bを丸める。

Claim (excerpt)：

半導体基板に溝を形成する工程と、その後、前記半導体基板を800°C以上の非酸化性雰囲気中でアニールすることで前記溝の開口部及び底部の角を丸める工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C