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J-GLOBAL ID：200903018908198451

湿度センサ

Inventor： 奥戸 崇史
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004341075
Publication number (International publication number)：2006153511
Application date： Nov. 25, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：

【課題】従来の素子形成基板の一表面上で感応部の周囲にヒータが形成されている構成に比べて感度を低下させることなく低消費電力化が可能な湿度センサを提供する。 【解決手段】単結晶のシリコン基板からなる素子形成基板1と、素子形成基板1の一表面側に形成された多孔質シリコン層からなる感応部2と、感応部2の厚み方向の一面側に形成された容量変化検知用の一対の櫛歯状の電極3,4と、素子形成基板1の他表面に形成されたつづら折れ状のヒータ7とを備えている。ヒータ7は、感応部2に吸着した水分を蒸発させるために設けたものであって、感応部2の厚み方向の他面側において感応部2に重複する領域に形成されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

素子形成基板の一表面側に形成された多孔質層からなる感応部と、感応部の厚み方向の一面側に形成された一対の櫛形状の電極であって各電極それぞれの櫛歯部が他方の電極の櫛溝部に入り込んだ一対の櫛形状の電極と、感応部に吸着した水分を蒸発させるためのヒータとを備え、ヒータが、感応部の厚み方向の他面側において感応部に重複する領域に形成されてなることを特徴とする湿度センサ。

IPC (1)：

G01N 27/12

FI (1)：

G01N27/12 G

F-Term (11)：

2G046AA09 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC03 ,  2G046BE03 ,  2G046BE07 ,  2G046BF02 ,  2G046DB01 ,  2G046FE38