Pat

J-GLOBAL ID：200903018908676221

エッチングマスクおよびその形成方法

Inventor： 原 昌輝 ,  今永 俊治 ,  河合 弘治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998215820
Publication number (International publication number)：2000049136
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 少なくともAlとNを含む化合物層や該層と下地層との界面などに損傷を発生することなく、この化合物層を所望の形状にエッチングできるエッチングマスク及びその形成方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板1上にMOCVD法によりGaNバッファ層2を低温成長させた後、GaN層3とAlN層4を順次成長させる。次に遠隔プラズマCVD法でAlN層4の全面に厚さ0.2μmのSiO2 膜5を形成後、その上にレジストパターンを形成し、それをマスクとしてSiO2 膜5をドライエッチング法によりパターニングしてエッチングマスク6を形成する。その後レジストパターンを除去し、エッチングマスク6を用いレジスト現像液の60°C加熱原液に基板を入れてAlN層4をウェットエッチングした後、フッ酸系液を用いてエッチングマスクをエッチング除去する。

Claim (excerpt)：

少なくともAlとNとを含む化合物層をエッチングする際に用いられるエッチングマスクにおいて、熱化学気相成長法またはリモートプラズマ化学気相成長法により上記化合物層上に形成された絶縁膜からなることを特徴とするエッチングマスク。

IPC (7)：

H01L 21/306 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/31

FI (6)：

H01L 21/306 B ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 Z ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/80 B

F-Term (50)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030DA05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA14 ,  5F004AA04 ,  5F004AA06 ,  5F004DB12 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F043AA16 ,  5F043AA33 ,  5F043BB10 ,  5F043BB22 ,  5F043DD07 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE19 ,  5F045AE25 ,  5F045BB16 ,  5F045HA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15