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J-GLOBAL ID：200903018916104121

シリコン薄板の製造方法

Inventor： 中村 修
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347767
Publication number (International publication number)：1994191820
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 生産性が良好でかつ製造コストの低減が図れるシリコン薄板の製造方法を提供すること。【構成】 るつぼ40内のシリコン融液と気相との界面を冷却しこの界面でシリコンを析出させて結晶性シリコンの薄板80を製造する方法であって、上記シリコン融液が、インジウム、スズ、及び、ガリウムから選択された融剤にシリコン板80を溶解させた融液により構成されていることを特徴とする。そして、シリコンを融解して求めたシリコン融液を適用する従来法に較べてその系をシリコンの融点以上に保つ必要がなくなるため、シリコン薄板製造時におけるプロセス温度の低減が図れ、従って、安価な構成部品の適用が可能になると共に投入するエネルギーの低減も図ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

るつぼ内のシリコン融液と気相との界面を冷却し、この界面でシリコンを析出させて結晶性シリコンの薄板を製造するシリコン薄板の製造方法において、上記シリコン融液が、インジウム、スズ、及び、ガリウムから選択された融剤にシリコンを溶解させた融液により構成されていることを特徴とするシリコン薄板の製造方法。

IPC (4)：

C01B 33/02 ,  C30B 19/00 ,  C30B 29/06 503 ,  H01L 31/04