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J-GLOBAL ID：200903018924423546

電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法

Inventor： 手島 隆行 ,  三道 和宏
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998357143
Publication number (International publication number)：2000182513
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 導電性膜形成材料を含む水溶液の液滴を基体に部分的に付与する工程において、液滴が所定の位置より拡がり、安定性、再現性の良い電子放出持性が得られなくなる不都合を防ぎ、電子放出特性が良好な電子放出素子、並びにそれを用いた電子源、画像形成装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基体1上に一対の素子電極2,3を形成する工程と、素子電極2,3間に導電性膜形成用材料を含む溶液の液滴を付与する工程と、付与した液滴を加熱焼成して導電性膜4を形成する工程と、導電性膜4に電子放出部5を形成するフォーミング工程とを有する電子放出素子の製造方法であって、上記液滴付与工程の前に、疎水化処理剤が選択的にガラス基体1表面のシラノール基と結合して疎水性表面を形成し、液滴との接触角を20〜50°に制御する疎水化処理工程を行う。

Claim (excerpt)：

基体上に一対の素子電極を形成する工程と、素子電極間に導電性膜形成用材料を含む溶液の液滴を付与する工程と、付与した液滴を加熱焼成して導電性膜を形成する工程と、導電性膜に電子放出部を形成するフォーミング工程とを有する電子放出素子の製造方法であって、上記液滴付与工程の前に、液滴と接触する基体表面を疎水化処理して疎水性表面を形成する工程を有し、該疎水化処理工程において、疎水化処理剤が選択的に基体表面のシラノール基と結合して疎水性表面を形成し、液滴との接触角を20〜50°に制御することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (3)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/316 ,  H01J 31/12

FI (3)：

H01J 9/02 E ,  H01J 1/30 E ,  H01J 31/12 C

F-Term (8)：

5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH08 ,  5C036EH26